ON Semiconductor KSH210TM

工厂交货时间

6 Weeks

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

45

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

已出版

2002

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1.4W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

KSH210

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

功率 - 最大

1.4W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1.8V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

45 @ 2A 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 1A, 5A

转换频率

65MHz

最大击穿电压

25V

频率转换

65MHz

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-8V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant