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首页 全部分类 2SA2126-H vs 2SA2039-H

2SA2126-H备选型号: 2SA2039-H

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  • JESD-609代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • ON Semiconductor
    2SA2126-H
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 50V 3A TP
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    5 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    50V
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    e6
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    2SA2126
    3
    800mW
    无卤素
    PNP
    50V
    3A
    200 @ 100mA 2V
    1μA ICBO
    520mV @ 100mA, 2A
    390MHz
    50V
    -6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SA2039-H
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    50V
    -
    Bulk
    2012
    -
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    800mW
    2SA2039
    -
    800mW
    -
    PNP
    430mV
    5A
    200 @ 500mA 2V
    1μA ICBO
    430mV @ 100mA, 2A
    360MHz
    -
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Lead, Tin
    通孔
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