2SA2126-H备选型号: 2SA2040-E
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 无卤素
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 辐射硬化
- TRANS PNP 50V 3A TPACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)5 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA350V150°C TJBulk2012e6yes不用于新设计1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)800mW2SA21263800mW无卤素PNP50V3A200 @ 100mA 2V1μA ICBO520mV @ 100mA, 2A390MHz50V-6VROHS3 Compliant无铅------
- Trans GP BJT PNP 50V 8A 3-Pin(3 Tab) TP BagACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA350V150°C TJBulk2012e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99-1W-3--PNP50V8A200 @ 500mA 2V100nA ICBO400mV @ 40mA, 2A330MHz50V6VROHS3 Compliant无铅Tin-230mVSingle1W290MHz无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA2040-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans GP BJT PNP 50V 8A 3-Pin(3 Tab) TP Bag | 对比 |
![]() | 2SA2039-H | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V | 对比 |



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