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首页 全部分类 2SB1201T-TL-E vs 2SB1201S-TL-E

2SB1201T-TL-E备选型号: 2SB1201S-TL-E

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 最高频率
  • 最大击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    2SB1201T-TL-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    50V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    150MHz
    2SB1201
    3
    800mW
    PNP
    50V
    2A
    200 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    700mV @ 50mA, 1A
    60V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SB1201S-TL-E
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 50V 2A TP-FA
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    50V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    -
    2SB1201
    3
    -
    PNP
    50V
    2A
    100 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    700mV @ 50mA, 1A
    -60V
    -6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -300mV
    Single
    150MHz
    150MHz
    50V
    2.3mm
    6.5mm
    5.5mm
    无
  • 添加型号
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