ON Semiconductor 2SB1201S-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

800mW

基本部件号

2SB1201

引脚数量

3

功率 - 最大

800mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

140 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 1A

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅