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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.585518
10
¥14.703317
100
¥13.871057
500
¥13.0859
1000
¥12.34519
ON Semiconductor 2SB1202T-TL-E
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- 对比
2SB1202T-TL-E
1807-2SB1202T-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SB1202T-TL-E详情
ON Semiconductor 2SB1202T-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-700μV
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
2SB1202
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
1W
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 100mA, 2A
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
高度
2.3mm
长度
6.5mm
宽度
5.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SB1202T-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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