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首页 全部分类 2SC3263 vs 2SC5200N(S1,E,S)

2SC3263备选型号: 2SC5200N(S1,E,S)

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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • RoHS状态
  • 底架
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • Sanken
    2SC3263
    Sanken
    ALLEGRO SANKEN 2SC3263 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 230 V, 60 MHz, 130 W, 15 A, 50
    24 Weeks
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    NO
    3
    SILICON
    15A
    150°C TJ
    Bulk
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE
    130W
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    40 @ 5A 4V
    100μA ICBO
    2V @ 500mA, 5A
    230V
    60MHz
    60MHz
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC5200N(S1,E,S)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
    12 Weeks
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    -
    -
    -
    230V
    150°C TJ
    Tube
    2013
    活跃
    不适用
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    通孔
    6.961991g
    400mV
    150W
    Single
    30MHz
    230V
    15A
    230V
    5V
    15A
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