2SC3263备选型号: 2SC5359-O(Q)

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  • 功率 - 最大
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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
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  • 频率转换
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  • 底架
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 最大功率耗散
  • 频率
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Sanken
    ALLEGRO SANKEN 2SC3263 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 230 V, 60 MHz, 130 W, 15 A, 50
    24 Weeks
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    NO
    3
    SILICON
    15A
    150°C TJ
    Bulk
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE
    130W
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    40 @ 5A 4V
    100μA ICBO
    2V @ 500mA, 5A
    230V
    60MHz
    60MHz
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-3PL
    14 Weeks
    通孔
    TO-3PL
    -
    3
    -
    230V
    150°C TJ
    Bulk
    2007
    活跃
    不适用
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    NPN
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    通孔
    3V
    180W
    30MHz
    Single
    180W
    30MHz
    230V
    15A
    230V
    5V
    26mm
    20.5mm
    5.2mm
    无铅
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