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首页 全部分类 2SC3646T-P-TD-E vs FMMT493QTA

2SC3646T-P-TD-E备选型号: FMMT493QTA

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    2SC3646T-P-TD-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    100V
    400mV
    Tape & Reel (TR)
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    500mW
    Single
    NPN
    400mV
    1A
    200 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    400mV @ 40mA, 400mA
    1MHz
    120MHz
    120V
    6V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    符合RoHS标准
    -
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    -
    -
  • Diodes Incorporated
    FMMT493QTA
    Diodes Incorporated
    TRANS NPN 100V 1A SOT23-3
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    100V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    500mW
    -
    NPN
    600mV
    1A
    100 @ 250mA 10V
    100nA
    600mV @ 100mA, 1A
    -
    150MHz
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    AEC-Q101
    R-PDSO-G3
    SINGLE
    500mW
    NPN
    150MHz
    100V
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