ON Semiconductor 2SC3646T-P-TD-E
- 收藏
- 对比
2SC3646T-P-TD-E
1807-2SC3646T-P-TD-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
--最小包装量--
2SC3646T-P-TD-E详情
ON Semiconductor 2SC3646T-P-TD-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最大功率耗散
500mW
元素配置
Single
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 40mA, 400mA
最高频率
1MHz
频率转换
120MHz
集电极基极电压(VCBO)
120V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
1.5mm
长度
4.5mm
宽度
2.5mm
RoHS状态
符合RoHS标准
2SC3646T-P-TD-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor










哦! 它是空的。