2SC4135T-TL-E备选型号: KSH112GTM
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率耗散
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 极性
- 元素配置
- 频率转换
- 连续集电极电流
- TRANS NPN 100V 2A TP-FAACTIVE (Last Updated: 2 days ago)2 Weeks表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633100V150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1Wnot_compliant120MHz2SC413531WNPN100V2A200 @ 100mA 5V100nA ICBO400mV @ 100mA, 1A120V6VROHS3 Compliant无铅--------
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK--表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-100V150°C TJTape & Reel (TR)---Obsolete1 (Unlimited)--1.75W--KSH112-20WNPN - Darlington100V2A1000 @ 2A 3V20μA3V @ 40mA, 4A100V5V符合RoHS标准无铅表面贴装2V100V2ANPNSingle25MHz2A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZXTN04120HKTC | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252 | 对比 |
![]() | KSH112GTM | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | 对比 |
![]() | 2SC4135S-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA | 对比 |





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