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首页 全部分类 2SC5415AE-TD-E vs 2SC5084-O(TE85L,F)

2SC5415AE-TD-E备选型号: 2SC5084-O(TE85L,F)

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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 最高频段
  • 集电极-基极电容-最大值
  • ON Semiconductor
    2SC5415AE-TD-E
    ON Semiconductor
    TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    12V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    3
    Single
    6.7 GHz
    NPN
    12V
    100mA
    90 @ 30mA 5V
    9dB
    8GHz
    20V
    2V
    1.1dB @ 1GHz
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC5084-O(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    12V
    125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150mW
    -
    Single
    7 GHz
    NPN
    12V
    80mA
    80 @ 20mA 10V
    11dB
    -
    20V
    3V
    1.1dB @ 1GHz
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    SILICON
    3
    低噪音
    DUAL
    鸥翼
    unknown
    R-PDSO-G3
    150mW
    AMPLIFIER
    NPN
    7000MHz
    12V
    超高频B型
    1.15pF
  • 添加型号
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