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首页 全部分类 2SC5415AE-TD-E vs 2SC5085-Y(TE85L,F)

2SC5415AE-TD-E备选型号: 2SC5085-Y(TE85L,F)

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  • 最大集电极电流
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    2SC5415AE-TD-E
    ON Semiconductor
    TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    12V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    3
    Single
    6.7 GHz
    NPN
    12V
    100mA
    90 @ 30mA 5V
    9dB
    8GHz
    20V
    2V
    1.1dB @ 1GHz
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC5085-Y(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-23 Emboss T/R
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    80
    125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    100mW
    -
    Single
    7 GHz
    NPN
    12V
    80mA
    120 @ 20mA 10V
    11dB ~ 16.5dB
    -
    20V
    3V
    1.1dB @ 1GHz
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    100mW
    NPN
    5000MHz
    12V
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