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首页 全部分类 2SC5415AF-TD-E vs 2DD2678-13

2SC5415AF-TD-E备选型号: 2DD2678-13

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 增益
  • 频率转换
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    2SC5415AF-TD-E
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 800mW 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    12V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    3
    800mW
    NPN
    12V
    100mA
    90 @ 30mA 5V
    9dB
    6.7GHz
    2V
    1.1dB @ 1GHz
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    2DD2678-13
    Diodes Incorporated
    DIODES INC. 2DD2678-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
    -
    13 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    12V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    900mW
    4
    900mW
    NPN
    12V
    3A
    270 @ 500mA 2V
    -
    -
    6V
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    51.993025mg
    SILICON
    250mV
    4
    DUAL
    FLAT
    260
    170MHz
    40
    2DD2678
    Single
    2W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    170MHz
    NPN
    100nA ICBO
    250mV @ 30mA, 1.5A
    170MHz
    12V
    15V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    无SVHC
    无
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