2SC5415AF-TD-E备选型号: DTC043EEBTL
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 增益
- 频率转换
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 噪音数字(分贝类型@ f)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 最高工作温度
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 输出电压
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最高频率
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 800mW 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/RACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)4 Weeks表面贴装TO-243AA312V150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)800mW3800mWNPN12V100mA90 @ 30mA 5V9dB6.7GHz2V1.1dB @ 1GHzROHS3 Compliant无铅-------------------
- TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F-13 Weeks表面贴装SC-89, SOT-490-50V-Tape & Reel (TR)2013--活跃1 (Unlimited)EAR99-150mW--NPN - Pre-Biased150mV100mA20 @ 5mA 10V----ROHS3 Compliant无铅表面贴装SILICON3150°CBUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1DUALFLATR-PDSO-F350mVNPNSingleSWITCHING150mV @ 500μA, 5mA250MHz250MHz50V4.7 k Ω100mA4.7 k Ω
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2DD2678-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-243AA | DIODES INC. 2DD2678-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 12 V, 170 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE | 对比 |
| DTC043EEBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-89, SOT-490 | TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | 对比 | |
| DTC023YEBTL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-89, SOT-490 | TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3F | 对比 |



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