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首页 全部分类 2SC6099-TL-E vs MJD112G

2SC6099-TL-E备选型号: MJD112G

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    2SC6099-TL-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistor, 100V, 2A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    100V
    165mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    300MHz
    3
    Single
    800mW
    NPN
    165mV
    2A
    300 @ 100mA 5V
    1μA ICBO
    165mV @ 100mA, 1A
    100V
    120V
    6.5V
    2.3mm
    6.5mm
    5.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJD112G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    100V
    2V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    1.75W
    -
    3
    Single
    1.75W
    NPN - Darlington
    100V
    2A
    1000 @ 2A 3V
    20μA
    3V @ 40mA, 4A
    -
    100V
    5V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    YES
    SILICON
    2
    100V
    鸥翼
    260
    2A
    40
    MJD112
    R-PSSO-G2
    NPN
    COLLECTOR
    SWITCHING
    无卤素
    25MHz
    25MHz
    2A
    无SVHC
    无
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