ON Semiconductor 2SC6099-TL-E

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

165mV

Number of Elements

1

hFEMin

300

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

800mW

频率

300MHz

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

800mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

165mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

165mV @ 100mA, 1A

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6.5V

高度

2.3mm

长度

6.5mm

宽度

5.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅