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2SD1060S-1EX备选型号: 2SD1060R-1EX

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安装类型
包装/外壳
引脚数
操作温度
包装
已出版
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
最大功率耗散
功率 - 最大
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
最大集极截止电流
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
频率转换
集电极基极电压(VCBO)
辐射硬化
RoHS状态

2SD1060S-1EX

ON Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V

通孔
通孔
TO-220-3
3
50V
150°C TJ
Tube
2013
Obsolete
1 (Unlimited)
1.75W
1.75W
NPN
300mV
5A
140 @ 1A 2V
100μA ICBO
300mV @ 300mA, 3A
30MHz
60V
无
符合RoHS标准
2SD1060R-1EX

ON Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V

通孔
通孔
TO-220-3
3
50V
150°C TJ
Tube
2013
不用于新设计
1 (Unlimited)
1.75W
1.75W
NPN
300mV
5A
100 @ 1A 2V
100μA ICBO
300mV @ 300mA, 3A
30MHz
60V
无
ROHS3 Compliant
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