ON Semiconductor KSD1273QYDTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

500

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

2W

额定电流

3A

频率

30MHz

基本部件号

KSD1273

元素配置

Single

功率耗散

2W

增益带宽积

30MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

500 @ 500mA 4V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅