ON Semiconductor 2SD1060S-1EX

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

1.75W

功率 - 最大

1.75W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

140 @ 1A 2V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 300mA, 3A

频率转换

30MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准