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首页 全部分类 2SD1623S-TD-E vs 2SD1835T-AA

2SD1623S-TD-E备选型号: 2SD1835T-AA

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  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
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  • Reach合规守则
  • 频率
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • ON Semiconductor
    2SD1623S-TD-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistor, 50V, 2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP hFE 140-280
    ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    YES
    3
    SILICON
    50V
    150mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    500mW
    FLAT
    not_compliant
    150MHz
    3
    Single
    500mW
    COLLECTOR
    SWITCHING
    150MHz
    NPN
    NPN
    50V
    2A
    100 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    400mV @ 50mA, 1A
    150MHz
    50V
    60V
    6V
    580ns
    60ns
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SD1835T-AA
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
    -
    4 Weeks
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    -
    3
    -
    50V
    150mV
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    2003
    -
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    750mW
    -
    -
    -
    3
    Single
    -
    -
    -
    150MHz
    -
    NPN
    50V
    2A
    100 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    400mV @ 50mA, 1A
    -
    50V
    60V
    6V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    2SD1835
    750mW
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