ON Semiconductor 2SD1835T-AA

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

150MHz

Power Dissipation (Max)

750mW

hFEMin

100

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2003

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

基本部件号

2SD1835

元素配置

Single

功率 - 最大

750mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 1A

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅