注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

价格梯度

内地含税价

1

￥4.399235
10

￥4.150221
100

￥3.915301
500

￥3.693682
1000

￥3.484608

ON Semiconductor 2SD1835T-AA

Name: 2SD1835T-AA
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-2SD1835T-AA
Price: 4.4 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

2SD1835T-AA

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2SD1835T-AA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V

起订量

--最小包装量--

单价:

￥

总价: ￥

添加到询价列表

2SD1835T-AA ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V

单价: $

合计: ￥

库存:745

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

2SD1835T-AA详情

技术参数

PDF文档

型号对比

ON Semiconductor 2SD1835T-AA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
触点镀层

Tin
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV
hFEMin

100
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Box (TB)
已出版

2003
无铅代码

yes
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
最大功率耗散

750mW
基本部件号

2SD1835
引脚数量

3
元素配置

Single
功率 - 最大

750mW
增益带宽积

150MHz
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

2A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 1A
最大击穿电压

50V
集电极基极电压(VCBO)

60V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

0个相似型号

2SD1835T-AA拓展信息

热销零件