2SD1803S-H备选型号: TTC012(Q)
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- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 无卤素
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 功率耗散
- 辐射硬化
- Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50VACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA350V150°C TJBulk2012e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1Wnot_compliant2SD180331W无卤素NPN50V5A140 @ 500mA 2V1μA ICBO400mV @ 150mA, 3A180MHz60V6VROHS3 Compliant无铅---
- TRANS NPN 375V 2A PW MOLD2-18 Weeks通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3375V150°C TJBulk2011--活跃1 (Unlimited)--1.1W-----NPN375V2A100 @ 300mA 5V10μA ICBO1V @ 62.5mA, 500mA-800V-符合RoHS标准无铅通孔1.1W无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SD1803T-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V | 对比 |
![]() | 2SD1802T-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V | 对比 |
| TTC012(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TRANS NPN 375V 2A PW MOLD2 | 对比 |



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