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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.770113
10
¥7.330296
100
¥6.915377
500
¥6.523937
1000
¥6.15466
ON Semiconductor 2SD1802T-E
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- 对比
2SD1802T-E
1807-2SD1802T-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SD1802T-E详情
ON Semiconductor 2SD1802T-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
表面安装
NO
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2011
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
2SD1802
引脚数量
3
配置
Single
功率 - 最大
1W
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
5A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
0.5mV @ 100mA, 2A
频率转换
150MHz
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SD1802T-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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