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首页 全部分类 2SD2696T2L vs 2SA1955FVATPL3Z

2SD2696T2L备选型号: 2SA1955FVATPL3Z

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  • 资历状况
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  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 极性
  • 元素配置
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • ROHM Semiconductor
    2SD2696T2L
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 30V 0.4A VMT3
    10 Weeks
    表面贴装
    SOT-723
    表面贴装
    3
    SILICON
    30V
    2015
    Cut Tape (CT)
    150°C TJ
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡铜
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    R-PDSO-F3
    不合格
    SINGLE
    150mW
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    300mV
    400mA
    270 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    300mV @ 2mA, 100mA
    400MHz
    30V
    400MHz
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SA1955FVATPL3Z
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
    -
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    表面贴装
    -
    -
    12V
    2005
    Cut Tape (CT)
    150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    PNP
    250mV
    400mA
    300 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 200mA
    -
    12V
    130MHz
    符合RoHS标准
    -
    CST3
    -30mV
    PNP
    Single
    12V
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