ROHM Semiconductor 2SC5659T2LP

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25V

Number of Elements

1

hFEMin

82

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

150mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

50mA

频率

300MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SC5659

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

150mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

82 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

25V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

50mA

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅