2SD2696T2L备选型号: DTD723YMT2L
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 基本部件号
- 元素配置
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- 辐射硬化
- TRANS NPN 30V 0.4A VMT310 Weeks表面贴装表面贴装SOT-723SILICON30V150°C TJCut Tape (CT)2015e2yes活跃1 (Unlimited)3EAR99锡铜150mWDUALFLAT260103R-PDSO-F3不合格SINGLE150mWSWITCHINGNPNNPN300mV400mA270 @ 100mA 2V100nA ICBO300mV @ 2mA, 100mA400MHz30V400MHzROHS3 Compliant无铅---------
- TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3-表面贴装表面贴装SOT-723-30V-Tape & Reel (TR)2012e2yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99锡铜150mWDUALFLAT260103----SWITCHINGNPNNPN - Pre-Biased300mV200mA140 @ 100mA 2V500nA300mV @ 2.5mA, 50mA260MHz30V260MHzROHS3 Compliant-3150°C-55°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5DTD723Single2.2 k Ω10 k Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DTD723YMT2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SOT-723 | TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | 对比 | |
| 2SA1955FVBTPL3Z | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-723 | Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO | 对比 | |
| 2SA1955FVATPL3Z | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SC-101, SOT-883 | Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO | 对比 |


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