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2SK1317-E备选型号: 2SK3747

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  • 元素配置
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • Renesas Electronics America
    2SK1317-E
    Renesas Electronics America
    RENESAS - 2SK1317-E - MOSFET, N, TO-3P
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    PRSS0004ZE-A
    2.5A Ta
    150°C TJ
    Tube
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SINGLE
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    100W
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    12 Ω @ 2A, 15V
    990pF @ 10V
    70ns
    1500V
    ±20V
    60 ns
    2.5A
    4V
    20V
    7A
    4 V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SK3747
    ON Semiconductor
    MOSFET HIGH-VOLTAGE POWER MOSFET
    -
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    3
    -
    -
    2A Ta
    150°C TJ
    Tray
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    3W
    -
    12 ns
    N-Channel
    -
    13 Ω @ 1A, 10V
    380pF @ 30V
    37ns
    1500V
    ±35V
    59 ns
    2A
    3.5V
    20V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    10Ohm
    Single
    37.5nC @ 10V
    4A
    1.5kV
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