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首页 全部分类 2SK2103T100 vs IRF9953PBF

2SK2103T100备选型号: IRF9953PBF

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  • 箱体转运
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 系列
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  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    2SK2103T100
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    SILICON
    2A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡铜
    8541.21.00.95
    30V
    FLAT
    260
    2A
    10
    3
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    400m Ω @ 1A, 10V
    2.5V @ 1mA
    230pF @ 10V
    25ns
    ±20V
    60 ns
    2A
    20V
    2A
    0.6Ohm
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9953PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2.3A
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1997
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -30V
    -
    -
    -2.3A
    -
    -
    Dual
    -
    2W
    -
    9.7 ns
    2 P-Channel (Dual)
    -
    250mOhm @ 1A, 10V
    1V @ 250μA
    190pF @ 15V
    14ns
    -
    6.9 ns
    -2.3A
    20V
    -
    -
    -30V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8-SO
    HEXFET®
    150°C
    -55°C
    2W
    IRF9953PBF
    2W
    12nC @ 10V
    30V
    -1V
    190pF
    Standard
    250mOhm
    250 mΩ
    -1 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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