Infineon Technologies IRF9953PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1997

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

2W

额定电流

-2.3A

基本部件号

IRF9953PBF

元素配置

Dual

功率耗散

2W

接通延迟时间

9.7 ns

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

190pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

6.9 ns

连续放电电流(ID)

-2.3A

阈值电压

-1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

输入电容

190pF

场效应管特性

Standard

漏源电阻

250mOhm

最大rds

250 mΩ

栅源电压

-1 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅