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2SK275100L备选型号: IRLML0040TRPBF
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
- 最大漏极电流（Id）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Mini3-G1150°C TJTape & Reel (TR)2008Obsolete1 (Unlimited)40V200mW10mA2SK2751200mWN-Channel5pF @ 10V40V5pF1.4μA @ 10V3.5V @ 1μA10mA符合RoHS标准无铅----------------------------------
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)-----N-Channel266pF @ 25V-----ROHS3 Compliant无铅12 Weeks3SILICON3.6A TaHEXFET®e33EAR9956MOhmMatte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.3W5.1 nsSWITCHING56m Ω @ 3.6A, 10V2.5V @ 25μA3.9nC @ 4.5V5.4ns±16V4.3 ns3.6A1.8V16V40V1.8 V1.016mm3.0226mm1.397mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMV65ENEAR | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NEXPERIA - PMV65ENEAR - MOSFET, N- CH, 40V, 2.7A, TO-236AB | 对比 |
 | 2SK771-5-TB-E | ON Semiconductor | 晶体管 - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 20MA 200MW SCP | 对比 |
| IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 | 对比 |
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