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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.39111
10
¥3.199163
100
¥3.018079
500
¥2.84724
1000
¥2.686075
Nexperia USA Inc. PMV65ENEAR
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- 对比
PMV65ENEAR
1729-PMV65ENEAR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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NEXPERIA - PMV65ENEAR - MOSFET, N- CH, 40V, 2.7A, TO-236AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PMV65ENEAR详情
Nexperia USA Inc. PMV65ENEAR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
490mW Ta 6.25W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
75m Ω @ 2.7A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
160pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
2.7A
JEDEC-95代码
TO-236AB
漏极-源极导通最大电阻
0.075Ohm
DS 击穿电压-最小值
40V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMV65ENEAR拓展信息
Nexperia USA Inc.
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