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首页 全部分类 2SK326800L vs FQD19N10LTM

2SK326800L备选型号: FQD19N10LTM

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  • 终端形式
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Panasonic Electronic Components
    2SK326800L
    Panasonic Electronic Components
    MOSFET N-CH 100V 15A UG-2
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
    U-DL
    15A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    100V
    15A
    N-Channel
    100mOhm @ 12A, 10V
    4V @ 1mA
    960pF @ 10V
    100V
    ±20V
    15A
    960pF
    100 mΩ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD19N10LTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    15.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    100V
    15.6A
    N-Channel
    100m Ω @ 7.8A, 10V
    2V @ 250μA
    870pF @ 25V
    -
    ±20V
    15.6A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6 Weeks
    Tin
    3
    260.37mg
    SILICON
    QFET®
    e3
    yes
    2
    EAR99
    100mOhm
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    14 ns
    SWITCHING
    18nC @ 5V
    410ns
    140 ns
    2V
    20V
    100V
    62.4A
    220 mJ
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    无SVHC
    无
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