我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
2SK327700L备选型号: FQD4N20TM
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 供应商器件包装
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1U-G1表面贴装表面贴装U-G11W Ta 10W Tc2004Tape & Reel (TR)150°C TJObsolete1 (Unlimited)200V2.5AN-Channel1.7Ohm @ 1.25A, 10V4V @ 1mA170pF @ 20V200V±20V2.5A170pF1.7 Ω符合RoHS标准无铅-------------------------------
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic LevelTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63表面贴装表面贴装-3A Tc-Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)200V3AN-Channel1.4 Ω @ 1.5A, 10V5V @ 250μA220pF @ 25V-±30V3A--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)4 Weeks3260.37mgSILICONQFET®e3yes2EAR991.4OhmTin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET2.5WDRAIN7 nsSWITCHING6.5nC @ 10V50ns25 ns30V3A200V52 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMC2523P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | FDMC2523P P-Channel MOSFET, 1.8 A, 150 V QFET, 8-Pin MLP ON Semiconductor | 对比 |
| FQD4N20TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level | 对比 |
| IRLR210ATM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK | 对比 |
哦! 它是空的。