2SK3353-AZ备选型号: FQP85N06
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 质量
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- TRANSISTORTO-220ABNO3SILICON1Tape & Reel (TR)2002Obsolete供应商未定义3EAR998541.29.00.95SINGLETHROUGH-HOLE260未说明R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING60VN-CHANNEL82A0.014Ohm328A202 mJMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR95WROHS3 Compliant无铅-----------------------------------
- Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB RailTO-220-3-3SILICON85A TcTube2013ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)3EAR99---未说明未说明-不合格-增强型MOSFET-SWITCHING--85A-----ROHS3 Compliant无铅5 Weeks通孔通孔4.535924g4V @ 250μA-55°C~175°C TJQFET®e3yes10MOhmTin (Sn)60V85A60VSingle85A160W40 nsN-Channel10m Ω @ 42.5A, 10V4120pF @ 25V112nC @ 10V230ns±25V170 ns4VTO-220AB25V60V60V4 V9.4mm10.1mm4.7mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FQP85N06 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 60V 85A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail | 对比 |



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