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首页 全部分类 2SK3483-AZ vs AUIRFU540Z

2SK3483-AZ备选型号: AUIRFU540Z

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
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  • 供应商器件包装
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Renesas Electronics America
    2SK3483-AZ
    Renesas Electronics America
    MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
    16 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    28A Ta
    2006
    150°C TJ
    Bulk
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    SINGLE
    260
    未说明
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    52m Ω @ 14A, 10V
    2300pF @ 10V
    49nC @ 10V
    9ns
    100V
    ±20V
    5 ns
    28A
    20V
    0.059Ohm
    100V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFU540Z
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 100V 35A IPAK
    13 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    1
    2013
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    14 ns
    N-Channel
    -
    28.5mOhm @ 21A, 10V
    1690pF @ 25V
    59nC @ 10V
    42ns
    100V
    ±20V
    34 ns
    35A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    I-PAK
    4V @ 50μA
    HEXFET®
    175°C
    -55°C
    91W
    100V
    1.69nF
    22.5mOhm
    28.5 mΩ
    无
    无铅
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