Infineon Technologies AUIRFU540Z

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

供应商器件包装

I-PAK

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

91W Tc

Turn Off Delay Time

43 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 50μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

91W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

28.5mOhm @ 21A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1690pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

59nC @ 10V

上升时间

42ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

34 ns

连续放电电流(ID)

35A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

输入电容

1.69nF

漏源电阻

22.5mOhm

最大rds

28.5 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅