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首页 全部分类 2SK3666-3-TB-E vs MMBF4393LT3G

2SK3666-3-TB-E备选型号: MMBF4393LT3G

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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终端
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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 漏源电阻
  • 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
  • 电阻-RDS(On)
  • 最大漏极电流（Id）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    2SK3666-3-TB-E
    ON Semiconductor
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    7.994566mg
    30V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    200mW
    2SK3666
    3
    Single
    200mW
    N-Channel
    4pF @ 10V
    10mA
    -30V
    30V
    200Ohm
    1.2mA @ 10V
    180mV @ 1μA
    200Ohm
    10mA
    1.1mm
    2.9mm
    1.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMBF4393LT3G
    ON Semiconductor
    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    200.998119mg
    30V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    225mW
    MBF4393
    3
    Single
    225mW
    N-Channel
    14pF @ 15V
    -
    30V
    -
    -
    5mA @ 15V
    500mV @ 10nA
    100Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SILICON
    3
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    不合格
    DEPLETION MODE
    SWITCHING
    无卤素
    100Ohm
    JUNCTION
    无SVHC
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