ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

Breakdown Voltage / V

30V

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

200mW

基本部件号

2SK3666

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

200mW

场效应管类型

N-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4pF @ 10V

连续放电电流(ID)

10mA

栅极至源极电压(Vgs)

-30V

漏源击穿电压

30V

漏源电阻

200Ohm

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

180mV @ 1μA

电阻-RDS(On)

200Ohm

最大漏极电流（Id）

10mA

高度

1.1mm

长度

2.9mm

宽度

1.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅