2STR1160备选型号: BCW66G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 供应商器件包装
- 质量
- 已出版
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 频率
- 极性
- 功率 - 最大
- 增益带宽积
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最高频率
- 频率转换
- STMICROELECTRONICS 2STR1160Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 500 mW, 1 A, 250Tin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON60V430mV150°C TJTape & Reel (TR)e3Obsolete1 (Unlimited)3SMD/SMTEAR99500mWDUAL鸥翼2102STR3Single500mWSWITCHINGNPNNPN60V1A180 @ 500mA 2V100nA ICBO430mV @ 100mA, 1A60V60V5V1.3mm3.04mm1.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------
- Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMPTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-45V700mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-Obsolete1 (Unlimited)---350mW---BCW66-Single350mW--NPN45V1A160 @ 100mA 1V20nA700mV @ 50mA, 500mA45V75V5V930μm2.9mm1.3mm无SVHC-符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)8 WeeksSOT-23-330mg2002150°C-55°C45V1A100MHzNPN350mW170MHz45V100MHz100MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FMMT451TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | In a Pack of 25, Diodes Inc FMMT451TA NPN Transistor, 1 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 | 对比 |
![]() | FMMT493ATA | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 | 对比 |
![]() | BCW66G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GP AMP | 对比 |





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