ON Semiconductor BCW66G

生命周期状态

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工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Number of Elements

1

hFEMin

160

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

350mW

额定电流

1A

频率

100MHz

基本部件号

BCW66

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

350mW

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

170MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

160 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

20nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45V

最高频率

100MHz

最大击穿电压

45V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

930μm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅