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3LP01C-TB-E备选型号: DMG3418L-7
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 质量
- 附加功能
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET P-CH 30V 100MA CP表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES3SILICON100mA Ta150°C TJTape & Reel (TR)2009e6yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)DUAL鸥翼260403Single增强型MOSFET250mW24 nsP-ChannelSWITCHING10.4 Ω @ 50mA, 4V7.5pF @ 10V1.43nC @ 10V55ns30V±10V130 ns100mA10V-30V1.1mm2.9mm1.5mm符合RoHS标准无铅----------
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3--SILICON4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014e3-活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)DUAL鸥翼26030-Single增强型MOSFET-1.9 nsN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 4A, 10V464.3pF @ 15V5.5nC @ 4.5V1.6ns-±12V2 ns4A12V30V---ROHS3 Compliant-23 Weeks表面贴装7.994566mgHIGH RELIABILITYDMG3418R-PDSO-G311.5V @ 250μA4A0.06Ohm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 3LN01C-TB-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP | 对比 |
| DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 | 对比 |
| 3LN01C-TB-E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP | 对比 |
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