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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.378287
10
¥0.356874
100
¥0.336675
500
¥0.317617
1000
¥0.299639
Diodes Incorporated DMG3418L-7
- 收藏
- 对比
DMG3418L-7
671-DMG3418L-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMG3418L-7详情
Diodes Incorporated DMG3418L-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
质量
7.994566mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.4W Ta
Turn Off Delay Time
10.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
DMG3418
JESD-30代码
R-PDSO-G3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
1.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
60m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
464.3pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.5nC @ 4.5V
上升时间
1.6ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
2 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏极-源极导通最大电阻
0.06Ohm
漏源击穿电压
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMG3418L-7拓展信息
Diodes Incorporated
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