3LP01M-TL-E备选型号: PMGD8000LN,115
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 附加功能
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 操作模式
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 最大耗散功率(Abs)
- 场效应管特性
- Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin MCP T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)4 Weeks表面贴装表面贴装SC-70, SOT-3233100mA Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)3Single150mW24 nsP-Channel10.4 Ω @ 50mA, 4V7.5pF @ 10V1.43nC @ 10V55ns30V±10V130 ns100mA10V0.1A无符合RoHS标准无铅--------------------
- MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP---表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363-125mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1997e3-Obsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE--2 N-Channel (Dual)8 Ω @ 10mA, 4V18.5pF @ 5V0.35nC @ 4.5V-30V----0.125A-ROHS3 Compliant-YESSILICONTrenchMOS™6逻辑电平兼容8541.21.00.95鸥翼未说明未说明R-PDSO-G6不合格增强型MOSFET200mWSWITCHING1.5V @ 100μA8Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR0.2W逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDV302P | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 | 对比 |
| 3LN01S-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 0.15A 3-Pin SMCP T/R | 对比 | |
![]() | PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | 对比 |




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