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首页 全部分类 55GN01MA-TL-E vs 2SC5085-Y(TE85L,F)

55GN01MA-TL-E备选型号: 2SC5085-Y(TE85L,F)

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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 增益
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 频率转换
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 功率 - 最大
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    55GN01MA-TL-E
    ON Semiconductor
    Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 3-Pin Case MCP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    10V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    400mW
    3
    Single
    NPN
    NPN
    10V
    70mA
    100 @ 10mA 5V
    10dB @ 1GHz
    5.5GHz
    3000MHz
    4.5GHz~5.5GHz
    20V
    3V
    1.9dB @ 1GHz
    900μm
    2mm
    2.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC5085-Y(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-23 Emboss T/R
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    -
    80
    125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    100mW
    -
    Single
    NPN
    NPN
    12V
    80mA
    120 @ 20mA 10V
    11dB ~ 16.5dB
    -
    5000MHz
    -
    20V
    3V
    1.1dB @ 1GHz
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    100mW
    7 GHz
    12V
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