2SC5226A-5-TL-E
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ON Semiconductor 2SC5226A-5-TL-E

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型号

2SC5226A-5-TL-E

utmel 编号

1807-2SC5226A-5-TL-E

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP

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2SC5226A-5-TL-E ON Semiconductor TRANS NPN BIPO VHF-UHF MCP

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2SC5226A-5-TL-E详情

ON Semiconductor 2SC5226A-5-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    10V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 频率

    7GHz

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    150mW

  • 增益带宽积

    7 GHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    10V

  • 最大集电极电流

    70mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    135 @ 20mA 5V

  • 增益

    12dB

  • 转换频率

    7000MHz

  • 最大击穿电压

    10V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    20V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    2V

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    1dB @ 1GHz

  • 高度

    900μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor 2SC5226A-5-TL-E.

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