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5LN01C-TB-H备选型号: 5LN01M-TL-H
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- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
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- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 50V 100MA CP表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33100mA Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)3Single250mW18 nsN-Channel7.8 Ω @ 50mA, 4V无卤素6.6pF @ 10V1.57nC @ 10V42ns±10V105 ns100mA10V50V符合RoHS标准无铅----
MOSFET N-CH 50V 100MA SC59表面贴装SC-70, SOT-3233100mA Ta150°C TJTape & Reel (TR)2011e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)3Single150mW18 nsN-Channel7.8 Ω @ 50mA, 4V无卤素6.6pF @ 10V1.57nC @ 10V42ns±10V105 ns100mA10V50V符合RoHS标准无铅6 Weeks表面贴装0.1A无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 3LP01C-TB-E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 100MA CP | 对比 |
| 5LP01C-TB-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 70MA CP | 对比 |
| 5LP01C-TB-E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 50V 70MA CP | 对比 |
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