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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.035831
10
¥4.750788
100
¥4.481872
500
¥4.228184
1000
¥3.988853
ON Semiconductor 5LN01M-TL-H
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- 对比
5LN01M-TL-H
1807-5LN01M-TL-H
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
--最小包装量--
¥
总价: ¥
5LN01M-TL-H详情
ON Semiconductor 5LN01M-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4V
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
Turn Off Delay Time
190 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
150mW
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.8 Ω @ 50mA, 4V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6.6pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.57nC @ 10V
上升时间
42ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
105 ns
连续放电电流(ID)
100mA
栅极至源极电压(Vgs)
10V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.1A
漏源击穿电压
50V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
5LN01M-TL-H拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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