注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.868
10
¥2.705662
100
¥2.552509
500
¥2.40803
1000
¥2.271726
ON Semiconductor 5LP01C-TB-E
- 收藏
- 对比
5LP01C-TB-E
1807-5LP01C-TB-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 50V 70MA CP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
5LP01C-TB-E详情
ON Semiconductor 5LP01C-TB-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
70mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V 4V
Power Dissipation (Max)
250mW Ta
Turn Off Delay Time
160 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
250mW
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
23 Ω @ 40mA, 4V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7.4pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.4nC @ 10V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
150 ns
连续放电电流(ID)
70mA
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
-50V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
5LP01C-TB-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。