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7005S35GB备选型号: 7005L35G

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电源电流
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字长

7005S35GB

Integrated Device Technology (IDT)

SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 35ns 68-Pin CPGA

68
RAM, SDR, SRAM
Bulk
2012
活跃
125°C
-55°C
5V
Parallel
5.5V
4.5V
8kB
2
35 ns
26b
64 kb
29.46mm
29.46mm
3.68mm
无
符合RoHS标准
含铅
-
-
-
-
-
7005L35G

Integrated Device Technology (IDT)

SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 35ns 68-Pin CPGA

68
RAM, SDR, SRAM
-
2005
活跃
70°C
0°C
5V
Parallel
5.5V
4.5V
8kB
2
35 ns
26b
64 kb
29.46mm
29.46mm
3.68mm
无
符合RoHS标准
含铅
7 Weeks
通孔
210mA
Asynchronous
8b
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图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	7005S35G	Integrated Device Technology (IDT)	存储器		SRAM Chip Async Dual 5V 64K-Bit 8K x 8 35ns 68-Pin CPGA	对比
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